ЛБ №3 "Биполярный транзистор. Анализ режимов (усилительного, отсечки, насыщения)"
(ЛБ №3 "Биполярный транзистор. Анализ режимов")

 Курс доступен гостю

Лабораторная работа № 3

Биполярный транзистор.
Анализ режимов (усилительного, отсечки, насыщения)

  1. Цель работы:
  • овладеть методикой снятия вольт-амперных характеристик (ВАХ) биполярного транзистора и определения его основных параметров в заданной рабочей точке;
  • получить практические навыки схемного введения транзистора в заданный режим (нормальный усилительный или ключевой) и определения основных свойств режимов.
  1. Задачи работы:
  • подготовиться к лабораторной работе, т. е. знать и понимать процессы, происходящие в транзисторе и в исследуемых схемах с ним;
  • ответить на контрольные вопросы методических указаний;
  • проработать разделы порядка выполнения работы, отвечая по каждому пункту на вопросы: как его реально выполнить? Что должно быть получено в результате его выполнения (прогнозируемый результат)?;
  • провести экспериментальные исследования и качественно обработать полученные экспериментальные данные, подготовить и защитить отчет.

     
ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ СВЯЗИ С ПРЕПОДАВАТЕЛЯМИ
Доцент, к.т.н. Бориков Валерий Николаевич
Тел. 8-(3822)-41-75-27 е-mail: borikov@tpu.ru

Copyright ©2011. Tomsk Polytechnic University,
All rights reserved.

Курс доступен гостю